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IPI086N10N3GXKSA1
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IPI086N10N3GXKSA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 125W Tc |
Power Dissipation | 125W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6m Ω @ 73A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 42ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 31 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0086Ohm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 8 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 320A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPI086N10N3GXKSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPI086N10N3GXKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPI08" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPI08'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPI084N06L3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1127 |
IPI084N06L3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2537 |
IPI084N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPI086N10N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 50 |
IPI086N10N3 G | inf | CIs Calientes Especializados | 20 |
IPI086N10N3G | Original | CIs Calientes Especializados | 2482 |
IPI086N10N3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2576 |
IPI08CN10N | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2694 |
IPI08CN10N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2704 |
IPI08CNE8N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
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