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IPDD60R080G7XTMA1
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IPDD60R080G7XTMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | 10-PowerSOP Module |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 174W Tc |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 9.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 29A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Height | 2.5mm |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | CoolMOS™ G7 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Channels | 1 |
Power Dissipation | 174W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 61 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPDD60R080G7XTMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPDD6" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPDD6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPDD60R050G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 430 |
IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPDD60R080G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2544 |
IPDD60R102G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2544 |
IPDD60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPDD60R125G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2653 |
IPDD60R150G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2624 |
IPDD60R190G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2790 |
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