IPD90P03P4L04ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1m Ω @ 90A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 90A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 360A
Avalanche Energy Rating (Eas) 370 mJ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 137W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 253μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) +5V, -16V
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPD90N03S4L-03 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31040
IPD90N03S4L-03 4N03L03 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2885
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