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IPD80R450P7ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 11A
Drain-source On Resistance-Max 0.45Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 800V
FET Feature Super Junction
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 73W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 220μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
JEDEC-95 Code TO-252AA
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 29A
Avalanche Energy Rating (Eas) 29 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IPD80"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD800N06N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5409
IPD800N06N G infineon CIs Calientes Especializados 10433
IPD800N06N G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10349
IPD800N06NG INFINEO CIs Calientes Especializados 57724
IPD800N06NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2559
IPD800N06NGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD80N04S3-06 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 55851
IPD80N04S3-06 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 14387
IPD80N04S3-06 QN0406 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1672

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