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IPD80R450P7ATMA1
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IPD80R450P7ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450m Ω @ 4.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 500V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 11A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.45Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 800V |
FET Feature | Super Junction |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 73W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Vgs (Max) | ±20V |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 29A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 29 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPD80R450P7ATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD80R450P7ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD80" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD800N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5409 |
IPD800N06N G | infineon | CIs Calientes Especializados | 10433 |
IPD800N06N G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10349 |
IPD800N06NG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 57724 |
IPD800N06NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2559 |
IPD800N06NGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2645 |
IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD80N04S3-06 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 55851 |
IPD80N04S3-06 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 14387 |
IPD80N04S3-06 QN0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1672 |
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