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IPD80R1K4CEATMA1
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IPD80R1K4CEATMA1 Especificaciones técnicas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Weight | 3.949996g |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 63W Tc |
Power Dissipation | 63W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A Tc |
Rise Time | 15ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.9A |
Max Dual Supply Voltage | 800V |
Drain to Source Resistance | 1.4Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 25 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 72 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Input Capacitance | 570pF |
Rds On Max | 1.4 Ω |
Lead Free | Lead Free |
IPD80R1K4CEATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD80R1K4CEATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD80" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD800N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5409 |
IPD800N06N G | infineon | CIs Calientes Especializados | 10433 |
IPD800N06N G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10349 |
IPD800N06NG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 57724 |
IPD800N06NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2559 |
IPD800N06NGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2645 |
IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD80N04S3-06 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 55851 |
IPD80N04S3-06 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 14387 |
IPD80N04S3-06 QN0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1672 |
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