IPD80R1K4CEATMA1 Especificaciones técnicas

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Weight 3.949996g
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 63W Tc
Power Dissipation 63W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 240μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A Tc
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.9A
Max Dual Supply Voltage 800V
Drain to Source Resistance 1.4Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package PG-TO252-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 25 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 570pF
Rds On Max 1.4 Ω
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IPD800N06N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5409
IPD800N06N G infineon CIs Calientes Especializados 10433
IPD800N06N G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10349
IPD800N06NG INFINEO CIs Calientes Especializados 57724
IPD800N06NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2559
IPD800N06NGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD80N04S3-06 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 55851
IPD80N04S3-06 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 14387
IPD80N04S3-06 QN0406 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1672

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