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IPD65R600E6ATMA1
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IPD65R600E6ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 63W |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 64 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 700V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 142 mJ |
Length | 6.73mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ E6 |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 63W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600m Ω @ 2.1A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A Tc |
Rise Time | 8ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 7.3A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.6Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 18A |
Height | 2.41mm |
Width | 6.22mm |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD65R600E6ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD65" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD65'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD65R190C7 | inf | CIs Calientes Especializados | 700 |
IPD65R190C7ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2704 |
IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD65R1K0CE IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 294 |
IPD65R1K0CEAUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2799 |
IPD65R1K4C6 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 1631 |
IPD65R1K4C6ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2568 |
IPD65R1K4CFD | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 6300 |
IPD65R1K4CFDATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2578 |
IPD65R1K4CFDBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2748 |
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