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IPD60R750E6BTMA1
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IPD60R750E6BTMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2017 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 48W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Vgs (Max) | ±20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 15.7A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 72 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750m Ω @ 2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.75Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 600V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD60R750E6BTMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD600N25N3 G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2283 |
IPD600N25N3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5277 |
IPD600N25N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2838 |
IPD600N25N3G(600N25N) | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2603 |
IPD600N25N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5358 |
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD600N25N3GBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2570 |
IPD60N10S4-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2091 |
IPD60N10S412ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2571 |
IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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