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IPD60R750E6ATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Weight 3.949996g
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ E6
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Channels 1
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 373pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 373pF
Rds On Max 750 mΩ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package PG-TO252-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 48W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 170μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A Tc
Rise Time 7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.7A
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Resistance 680mOhm
RoHS Status RoHS Compliant
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Otros incluyen   "IPD60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD600N25N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 2283
IPD600N25N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON CIs Calientes Especializados 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5358
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD600N25N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IPD60N10S4-12 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2091
IPD60N10S412ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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IPD60R750E6ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPD60R750E6ATMA1 precio de referencia. IPD60R750E6ATMA1 parámetros, IPD60R750E6ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPD60R750E6ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPD60R750E6ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPD60R750E6ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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