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IPD60R3K3C6ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ C6
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 18.1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Tc
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 4A
Height 2.41mm
Width 6.22mm
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 93pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.7A
Max Dual Supply Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 6 mJ
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IPD60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD600N25N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 2283
IPD600N25N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON CIs Calientes Especializados 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5358
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD600N25N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IPD60N10S4-12 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2091
IPD60N10S412ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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IPD60R3K3C6ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPD60R3K3C6ATMA1 precio de referencia. IPD60R3K3C6ATMA1 parámetros, IPD60R3K3C6ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPD60R3K3C6ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPD60R3K3C6ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPD60R3K3C6ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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