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IPD60R1K5CEATMA1
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IPD60R1K5CEATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ CE |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ω @ 1.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 20 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.1A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 8A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Weight | 3.949996g |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2015 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 28W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A Tc |
Rise Time | 7ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 26 mJ |
Lead Free | Lead Free |
IPD60R1K5CEATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD60R1K5CEATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD600N25N3 G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2283 |
IPD600N25N3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5277 |
IPD600N25N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2838 |
IPD600N25N3G(600N25N) | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2603 |
IPD600N25N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5358 |
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD600N25N3GBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2570 |
IPD60N10S4-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2091 |
IPD60N10S412ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2571 |
IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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