IPB80P04P4L08ATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Power Dissipation-Max 75W Tc
Power Dissipation 75W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 120μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage -40V
Length 10mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 12 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9m Ω @ 80A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) -80A
Max Dual Supply Voltage -40V
Height 4.4mm
Width 9.25mm
Lead Free Contains Lead
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IPB80CN10NG INEONI CIs Calientes Especializados 12872
IPB80N03S4L-02 INF CIs Calientes Especializados 10256
IPB80N03S4L-02 4N03L02 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1151
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