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IPB80N06S4L07ATMA2
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IPB80N06S4L07ATMA2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 3ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0064Ohm |
Height | 4.4mm |
Width | 9.25mm |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.946308g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 79W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7m Ω @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5680pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 8 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Max Dual Supply Voltage | 60V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Length | 10mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPB80N06S4L07ATMA2 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB80N06S4L07ATMA2
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB80" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB80CN10NG | INEONI | CIs Calientes Especializados | 12872 |
IPB80N03S4L-02 | INF | CIs Calientes Especializados | 10256 |
IPB80N03S4L-02 4N03L02 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1151 |
IPB80N03S4L-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13397 |
IPB80N03S4L-03 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1620 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2752 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB80N03S4L03ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16948 |
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB80N04S2-04 | I | CIs Calientes Especializados | 2590 |
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