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IPB80N06S209ATMA2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 125μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0088Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 55V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 190W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 80A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 320A
Avalanche Energy Rating (Eas) 370 mJ
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Las siguientes partes incluyen  'IPB80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB80CN10NG INEONI CIs Calientes Especializados 12872
IPB80N03S4L-02 INF CIs Calientes Especializados 10256
IPB80N03S4L-02 4N03L02 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1151
IPB80N03S4L-03 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13397
IPB80N03S4L-03 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1620
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IPB80N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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IPB80N04S2-04 I CIs Calientes Especializados 2590

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