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IPB80N04S2L03ATMA1
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IPB80N04S2L03ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 213nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 27 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 810 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 300W |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1m Ω @ 80A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 50ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 77 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB80N04S2L03ATMA1
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Hojas de datos
Otros incluyen "IPB80" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB80CN10NG | INEONI | CIs Calientes Especializados | 12872 |
IPB80N03S4L-02 | INF | CIs Calientes Especializados | 10256 |
IPB80N03S4L-02 4N03L02 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1151 |
IPB80N03S4L-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13397 |
IPB80N03S4L-03 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1620 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2752 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB80N03S4L03ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16948 |
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB80N04S2-04 | I | CIs Calientes Especializados | 2590 |
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