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IPB65R660CFDAATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660m Ω @ 3.2A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A Tc
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Max Dual Supply Voltage 650V
Drain-source On Resistance-Max 0.66Ohm
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 62.5W Tc
Power Dissipation 62.5W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPB65R660CFDAATMA1 Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB65R660CFDAATMA1

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IPB65"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB65' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB65R045C7 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1751
IPB65R045C7 65C7045 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1511
IPB65R045C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB65R045C7ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2639
IPB65R065C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2546
IPB65R065C7ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2618
IPB65R095C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2655
IPB65R095C7ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2688
IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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