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IPB60R950C6ATMA1
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IPB60R950C6ATMA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin(3+Tab) TO-263
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 37W Tc |
Power Dissipation | 37W |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.4A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.95Ohm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 2 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950m Ω @ 1.5A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A Tc |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 60 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 46 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB60R950C6ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB600N25N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23218 |
IPB600N25N3G | INFINOE | CIs Calientes Especializados | 8926 |
IPB600N25N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 493 |
IPB600N25N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2621 |
IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB60R040C7ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB60R045P7 | INEONI | CIs Calientes Especializados | 12763 |
IPB60R060C7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 12825 |
IPB60R060C7ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2775 |
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