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IPB60R060C7ATMA1
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IPB60R060C7ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ C7 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 162W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 35A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 135A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 159 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Position | SINGLE |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 15.9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-263AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.06Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 600V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB60R060C7ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB600N25N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23218 |
IPB600N25N3G | INFINOE | CIs Calientes Especializados | 8926 |
IPB600N25N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 493 |
IPB600N25N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2621 |
IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB60R040C7ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB60R045P7 | INEONI | CIs Calientes Especializados | 12763 |
IPB60R060C7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 12825 |
IPB60R060C7ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2775 |
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