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IPB50R199CPATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199m Ω @ 9.9A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Tc
Rise Time 14ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 17A
Max Dual Supply Voltage 500V
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Pin Count 4
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 139W Tc
Power Dissipation 139W
Turn On Delay Time 35 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 660μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IPB50"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB50' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB50CN10N G INFINEON CIs Calientes Especializados 23023
IPB50CN10NG INFINEO CIs Calientes Especializados 9449
IPB50CN10NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2589
IPB50N06L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1276
IPB50N10S3L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 58693
IPB50N10S3L-16 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 43180
IPB50N10S3L-16 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1455
IPB50N10S3L-16(3N10L16 INFINEO CIs Calientes Especializados 32528
IPB50N10S3L-16(3N10L16) International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 58693
IPB50N10S3L16ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2394

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