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IPB50N12S3L15ATMA1
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IPB50N12S3L15ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CHANNEL_100+
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 50A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 330 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Operating Temperature (Min) | -55°C |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Case Connection | DRAIN |
JEDEC-95 Code | TO-263AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0206Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 120V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
IPB50N12S3L15ATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB50N12S3L15ATMA1
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Hojas de datos
Otros incluyen "IPB50" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB50'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB50CN10N G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 23023 |
IPB50CN10NG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 9449 |
IPB50CN10NGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2589 |
IPB50N06L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1276 |
IPB50N10S3L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 58693 |
IPB50N10S3L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 43180 |
IPB50N10S3L-16 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 1455 |
IPB50N10S3L-16(3N10L16 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 32528 |
IPB50N10S3L-16(3N10L16) | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 58693 |
IPB50N10S3L16ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2394 |
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IPB50N12S3L15ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPB50N12S3L15ATMA1 precio de referencia. IPB50N12S3L15ATMA1 parámetros, IPB50N12S3L15ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPB50N12S3L15ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPB50N12S3L15ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPB50N12S3L15ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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