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IPB144N12N3GATMA1
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IPB144N12N3GATMA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 107W Tc |
Power Dissipation | 107W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A Ta |
Rise Time | 9ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 56A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 224A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4m Ω @ 56A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 60V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 90 mJ |
IPB144N12N3GATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB144N12N3GATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB14" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB14'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB140N08S4-04 | INF | CIs Calientes Especializados | 17519 |
IPB140N08S4-04 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 351 |
IPB140N08S404ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2518 |
IPB144N12N3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IPB144N12N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 29140 |
IPB144N12N3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5401 |
IPB144N12N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1829 |
IPB144N12N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2535 |
IPB144N12N3GATMA1 IC | INF | CIs Calientes Especializados | 17938 |
IPB147N03L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32363 |
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