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IPB107N20NAATMA1
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IPB107N20NAATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Power Dissipation | 300W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 88A |
Max Dual Supply Voltage | 200V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7m Ω @ 88A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A Tc |
Rise Time | 26ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 41 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 560 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
IPB107N20NAATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB107N20NAATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB10" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB100N04S2-04 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 8299 |
IPB100N04S2-04 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 4365 |
IPB100N04S204ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2563 |
IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB100N04S204ATMA4 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14024 |
IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB100N04S2L-03 | INF | CIs Calientes Especializados | 5114 |
IPB100N04S2L03ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2514 |
IPB100N04S2L03ATMA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2760 |
IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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