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IPB100N08S2L07ATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Max Dual Supply Voltage 75V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 19 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5m Ω @ 80A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 56ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0087Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 810 mJ
Lead Free Contains Lead
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Las siguientes partes incluyen  'IPB10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB100N04S2-04 INFINEO CIs Calientes Especializados 8299
IPB100N04S2-04 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 4365
IPB100N04S204ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2563
IPB100N04S204ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB100N04S204ATMA4 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14024
IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB100N04S2L-03 INF CIs Calientes Especializados 5114
IPB100N04S2L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2514
IPB100N04S2L03ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2760
IPB100N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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IPB100N08S2L07ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPB100N08S2L07ATMA1 precio de referencia. IPB100N08S2L07ATMA1 parámetros, IPB100N08S2L07ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPB100N08S2L07ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPB100N08S2L07ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPB100N08S2L07ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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