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IPB100N08S207ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 26 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8m Ω @ 80A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 51ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 810 mJ
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Max Dual Supply Voltage 75V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'IPB10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB100N04S2-04 INFINEO CIs Calientes Especializados 8299
IPB100N04S2-04 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 4365
IPB100N04S204ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2563
IPB100N04S204ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB100N04S204ATMA4 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14024
IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB100N04S2L-03 INF CIs Calientes Especializados 5114
IPB100N04S2L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2514
IPB100N04S2L03ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2760
IPB100N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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IPB100N08S207ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPB100N08S207ATMA1 precio de referencia. IPB100N08S207ATMA1 parámetros, IPB100N08S207ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPB100N08S207ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPB100N08S207ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPB100N08S207ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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