IPB081N06L3GATMA1 Especificaciones técnicas

In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 79W Tc
Power Dissipation 79W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 34μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 50A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1m Ω @ 50A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 37 ns
Threshold Voltage 1.7V
Max Dual Supply Voltage 60V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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Las siguientes partes incluyen  'IPB08' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB080N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23545
IPB080N03LG VB CIs Calientes Especializados 3263
IPB080N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 619
IPB080N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2769
IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB080N06LG INF CIs Calientes Especializados 25000
IPB080N06N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18898
IPB080N06NG VB CIs Calientes Especializados 50863
IPB081N06L3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23020
IPB081N06L3G INF CIs Calientes Especializados 792

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