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IPB081N06L3GATMA1
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IPB081N06L3GATMA1 Especificaciones técnicas
In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 79W Tc |
Power Dissipation | 79W |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 50A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1m Ω @ 50A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A Tc |
Rise Time | 26ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 37 ns |
Threshold Voltage | 1.7V |
Max Dual Supply Voltage | 60V |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead |
IPB081N06L3GATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB081N06L3GATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB08" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB08'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB080N03L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23545 |
IPB080N03LG | VB | CIs Calientes Especializados | 3263 |
IPB080N03LG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 619 |
IPB080N03LGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2769 |
IPB080N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB080N06LG | INF | CIs Calientes Especializados | 25000 |
IPB080N06N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18898 |
IPB080N06NG | VB | CIs Calientes Especializados | 50863 |
IPB081N06L3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23020 |
IPB081N06L3G | INF | CIs Calientes Especializados | 792 |
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