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IPB042N10N3GATMA1
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IPB042N10N3GATMA1 Especificaciones técnicas
IPB042N10N3GATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2m Ω @ 50A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Rise Time | 59ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 48 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0042Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Height | 4.7mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 214W Tc |
Power Dissipation | 214W |
Turn On Delay Time | 27 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 14 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 137A |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Contains Lead |
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB04" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB04'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB041N04N G | Infineo | CIs Calientes Especializados | 23800 |
IPB041N04NG | VB | CIs Calientes Especializados | 18500 |
IPB041N04NGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2623 |
IPB042N03L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 17333 |
IPB042N03LG | I | CIs Calientes Especializados | 1234 |
IPB042N03LG MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5395 |
IPB042N03LGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2786 |
IPB042N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB042N10N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26423 |
IPB042N10N3 G IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 26460 |
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