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IPB019N08N3GATMA1
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IPB019N08N3GATMA1 Especificaciones técnicas
IPB019N08N3GATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 7 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Power Dissipation | 300W |
Turn On Delay Time | 28 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 33 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 180A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 80V |
Height | 4.5mm |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A Tc |
Rise Time | 73ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 86 ns |
Threshold Voltage | 2.8V |
Max Dual Supply Voltage | 80V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB019N08N3GATMA1
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Hojas de datos
Otros incluyen "IPB01" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB01'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB010N06N | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2635 |
IPB010N06N3G 010N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 683 |
IPB010N06NATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2674 |
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB011N04L | INF | CIs Calientes Especializados | 18 |
IPB011N04L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1067 |
IPB011N04LG | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2796 |
IPB011N04LGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2635 |
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB011N04N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32377 |
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