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IPA60R650CEXKSA1
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IPA60R650CEXKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ CE |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650m Ω @ 2.4A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A Tc |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 58 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 650V |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Weight | 2.299997g |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 28W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 7A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.65Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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