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IPA60R170CFD7XKSA1
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IPA60R170CFD7XKSA1 Especificaciones técnicas
CoolMOS CFD7 Power Transistor High Power 170m? 26W 600V PG-TO 220 FullPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ CFD7 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 26W Tc |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.17Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 600V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170m Ω @ 6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1199pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 51A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 60 mJ |
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