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IPA60R099P6XKSA1
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IPA60R099P6XKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ P6 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 34W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3330pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 37.9A |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99m Ω @ 14.5A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.9A Tc |
Rise Time | 10ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPA60R099P6XKSA1 Documentos
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