IKW50N65H5FKSA1 Especificaciones técnicas

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 25A, 12 Ω, 15V
Gate Charge 120nC
Td (on/off) @ 25°C 21ns/180ns
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 305W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation 305W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.65V
Reverse Recovery Time 57 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 520μJ (on), 180μJ (off)
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IKW50N603 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 364
IKW50N60DTP International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5337
IKW50N60DTPXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2576
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IKW50N60H3 INFINEO CIs Calientes Especializados 1275
IKW50N60H3 K50H603 INFINEO CIs Calientes Especializados 2955
IKW50N60H3(K50H603) INFINEON CIs Calientes Especializados 2559
IKW50N60H3=K50H603 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 139
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