IKD15N60RFATMA1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Reach Compliance Code not_compliant
Base Part Number *KD15N60
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 74ns
Test Condition 400V, 15A, 15 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 270μJ (on), 250μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.7V
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Cut Tape (CT)
Series TrenchStop®
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 250W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 30A
Power Dissipation-Max (Abs) 250W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Gate Charge 90nC
Td (on/off) @ 25°C 13ns/160ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IKD15N60R International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2530
IKD15N60R Infineon Technologies IGBTs individuales
IKD15N60RAATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2684
IKD15N60RAATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IKD15N60RATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2597
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
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