IKA15N65H5XKSA1 Especificaciones técnicas

Trans IGBT Chip N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 33.3W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 14A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 7.5A, 39 Ω, 15V
Gate Charge 38nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/160ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 16.15mm
Width 4.85mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 6.000006g
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 33.3W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 48 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 120μJ (on), 50μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 4.8V
Length 10.65mm
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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IKA15N60T IGBT Module Módulos IGBT 2951
IKA15N60T K15T60 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2398
IKA15N60TXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2609
IKA15N60TXKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IKA15N65ET6XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2730
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