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IHW50N65R5XKSA1 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 80A 282W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 282W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 282W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 95 ns
Turn On Time 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A
Gate Charge 230nC
Td (on/off) @ 25°C 26ns/220ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 25A, 8 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 261 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 740μJ (on), 180μJ (off)
Lead Free Lead Free
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IHW50N65R5XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2550

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