IHW30N135R3FKSA1 Especificaciones técnicas

IGBT 1350V 60A 349W TO247-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 349W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation 175W
Power - Max 349W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.35kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.35kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 30A
Gate Charge 263nC
Td (on/off) @ 25°C -/337ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
Test Condition 600V, 30A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Switching Energy 1.93mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.4V
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