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IGZ75N65H5XKSA1 Especificaciones técnicas

Trans IGBT Chip N-CH 650V 119A 4-Pin TO-247 Tube

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 119A
Turn On Time 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Switching Energy 680μJ (on), 430μJ (off)
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop™ 5
Part Status Active
Number of Terminations 4
Max Power Dissipation 395W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 395W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 37.5A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 415 ns
Gate Charge 166nC
Td (on/off) @ 25°C 26ns/347ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IGZ75N65H5XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2694

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