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IAUC120N04S6L008ATMA1
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IAUC120N04S6L008ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Vgs (Max) | ±16V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Power Dissipation-Max | 150W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.8m Ω @ 60A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7910pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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