FZ500R65KE3NOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 6500V 1000A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
Pin Count 7
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1000A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 500A
NTC Thermistor No
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -50°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Half Bridge
Power - Max 2000000W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6500V
Turn On Time 1200 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 8100 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 135nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FZ500R12KE2 IGBT Module Módulos IGBT 2973
FZ500R12KF2 IGBT Module Módulos IGBT 2775
FZ500R12KL EUPEC Módulos IGBT 2857
FZ500R65KE3 IGBT Module Módulos IGBT 609
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