FZ1800R17HE4B9HOSA2 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 1700V 1800A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-PUFM-X9
Configuration Single Switch
Power - Max 11500W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 900 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1920 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 145nF @ 25V
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 9
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 3
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1800A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FZ1800R12 EUPEC Módulos IGBT 2713
FZ1800R12HE4B9HOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 0
FZ1800R12HE4B9HOSA2 Infineon Technologies Módulos IGBT
FZ1800R12HE4_B9 IGBT Module Módulos IGBT 2785
FZ1800R12HP-B9 Original CIs Calientes Especializados 2845
FZ1800R12HP4-B9 Infineon Módulos IGBT 2933
FZ1800R12HP4B9HOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2760
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies Módulos IGBT
FZ1800R12HP4_B9 IGBT Module Módulos IGBT 2645
FZ1800R12KF IGBT Module Módulos IGBT 2829

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