FZ1200R33KF2CNOSA4 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 3300V 2000A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~125°C
Configuration Full Bridge
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.25V @ 15V, 1.2kA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 150nF @ 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Part Status Last Time Buy
Power - Max 14500W
Current - Collector Cutoff (Max) 12mA
Current - Collector (Ic) (Max) 2000A
NTC Thermistor No
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FZ1200 R12KF5 EUPEC CIs Calientes Especializados 1469
FZ120012KF4 NO CIs Calientes Especializados 2760
FZ1200A1700V EUPEC CIs Calientes Especializados 2794
FZ1200R12 EUPEC Módulos IGBT 2992
FZ1200R12E3 IGBT Module Módulos IGBT 2979
FZ1200R12HE4 IGBT Module Módulos IGBT 1419
FZ1200R12HE4HOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2762
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies Módulos IGBT
FZ1200R12HE4P IGBT Module Módulos IGBT 1456
FZ1200R12HE4PHPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 5226

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