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FS50R07N2E4B11BOSA1
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FS50R07N2E4B11BOSA1 Especificaciones técnicas
IGBT MODULE 650V 70A 190W
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Módulos IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 25 |
Additional Feature | UL APPROVED |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Reach Compliance Code | compliant |
JESD-30 Code | R-XUFM-X25 |
Configuration | Three Phase Inverter |
Power - Max | 190W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Chassis Mount |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~150°C |
Series | EconoPACK™ 2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 6 |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Input | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Turn On Time | 43 ns |
Turn Off Time-Nom (toff) | 265 ns |
NTC Thermistor | Yes |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Otros incluyen "FS50R" partes
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
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FS50R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Módulos IGBT | |
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