FF900R12IP4PBOSA1 Especificaciones técnicas

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 900A 8-Pin PRIME2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -40°C~150°C
Series PrimePack™2
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PUFM-X10
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Turn On Time 370 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1300 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 10
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Max Collector Current 900A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
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FF900R12IE4 Infineon Módulos IGBT 1311
FF900R12IE4BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2685
FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
FF900R12IE4P IGBT Module Módulos IGBT 2551
FF900R12IE4PBOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2742
FF900R12IE4PBOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
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