FF900R12IP4DBOSA2 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE VCES 1200V 900A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 10
Operating Temperature -40°C~150°C
Series PrimePack™2
Part Status Active
Number of Terminations 7
Max Power Dissipation 5.1kW
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 370 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1300 ns
NTC Thermistor Yes
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 11
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 5100W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 900A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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FF900R12IE4BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2685
FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
FF900R12IE4P IGBT Module Módulos IGBT 2551
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