FF800R17KE3NOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE VCES 1200V 800A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 130
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X10
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 1.15kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 800A
NTC Thermistor No
Height 38mm
Width 130mm
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 10
Terminal Position UPPER
Pin Count 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 4450W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Turn On Time 900 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1900 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 72nF @ 25V
Length 140mm
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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FF800R12KE3 Infineon Technologies AG Módulos IGBT
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