FF50R12RT4HOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT Modules IGBT 1200V 50A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position UPPER
Pin Count 7
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 285W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 185 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 490 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X5
Configuration Half Bridge
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Lead Free Lead Free
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FF50R063KF3 EUPEC Módulos IGBT 2886
FF50R06KF EUPEC Módulos IGBT 2524
FF50R06KF2 IGBT Module Módulos IGBT 2775
FF50R06KF3 EUPEC Módulos IGBT 2819
FF50R06KL2 IGBT Module Módulos IGBT 2771
FF50R06XE3 IGBT Module Módulos IGBT 2557
FF50R1000K EUPEC Módulos IGBT 2996
FF50R10KN EUPEC Módulos IGBT 2544
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