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FF100R12RT4HOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT Modules IGBT Module w/ IGBT & Diode

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position UPPER
Pin Count 7
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 555W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 185 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 490 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X5
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 100A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 630nF @ 25V
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FF1000R12IE4 IGBT Module Módulos IGBT 2781
FF1000R12IP4 IGBT Module Módulos IGBT 2601
FF1000R12KE3 EUPEC Módulos IGBT 2659
FF1000R17IE4 Infineon Módulos IGBT 1335
FF1000R17IE4BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 0
FF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
FF1000R17IE4DB2BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2606
FF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 Infineon Technologies Módulos IGBT
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