FD800R17KE3B2NOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 1700V 800A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Package / Case Module
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -40°C
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Number of Pins 130
Part Status Not For New Designs
Max Operating Temperature 125°C
Halogen Free Not Halogen Free
Max Collector Current 1.2kA
Lead Free Contains Lead
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FD8000008 Diodes Incorporated Osciladores 2555
FD800R17HP4-K_B2 IGBT Module Módulos IGBT 2643
FD800R17HP4KB2BOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 0
FD800R17HP4KB2BOSA2 Infineon Technologies Módulos IGBT
FD800R17KE3-B2 IGBT Module Módulos IGBT 2745
FD800R17KE3B2NOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2764
FD800R17KE3_B2 IGBT Module Módulos IGBT 2972
FD800R17KF6-B2 EUPEC Módulos IGBT 2752
FD800R17KF6B2 EUPEC Módulos IGBT 2722
FD800R17KF6C IGBT Module Módulos IGBT 2897

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