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FD600R17KE3KB5NOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE VCES 600V 600A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Package / Case Module
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Elements 1
Power - Max 4300W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 600A
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
VCEsat-Max 2.45 V
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Active
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Configuration Single Chopper
Halogen Free Not Halogen Free
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Power Dissipation-Max (Abs) 4300W
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FD600/1200R17KF6B2 EUPEC Módulos IGBT 2533
FD6000016 Diodes Incorporated Osciladores 2555
FD6008F NA CIs Calientes Especializados 77
FD600AV-90 MITSUBISH CIs Calientes Especializados 2818
FD600R06ME3S2BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2642
FD600R06ME3S2BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
FD600R06ME3_B11_S2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2759
FD600R06ME3_B11_S2 Infineon Technologies Módulos IGBT
FD600R06ME3_S2 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3
FD600R12KF1 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2778

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