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F1225R12KT4GBOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1200V 25A 160W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 38
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 38
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Position UPPER
Number of Elements 12
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Turn On Time 55 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 470 ns
NTC Thermistor No
Height 17mm
Width 62mm
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount PCB, Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 160W
Terminal Form UNSPECIFIED
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 160W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 25A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.45nF @ 25V
Length 122mm
RoHS Status RoHS Compliant
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F1225R12KT4GBOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2502

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