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DF900R12IP4DVBOSA1 Especificaciones técnicas

PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PUFM-X10
Configuration Single Chopper
Power - Max 5100W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 370 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1300 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 10
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Transistor Application GENERAL PURPOSE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 900A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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Las siguientes partes incluyen  'DF900' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DF900R12IP4 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2862
DF900R12IP4D IGBT Module Módulos IGBT 1342
DF900R12IP4DBOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2718
DF900R12IP4DBOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
DF900R12IP4DV IGBT Module Módulos IGBT 2570
DF900R12IP4DVBOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2709

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