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DF11MR12W1M1B11BOMA1
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET MODULE 1200V 50A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Chassis Mount |
Surface Mount | NO |
Packaging | Tray |
Series | CoolSiC™+ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 20mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 50A, 15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 55A |
DS Breakdown Voltage-Min | 1200V |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | Module |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 21 |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-XUFM-X21 |
Configuration | COMPLEX |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V 1.2kV |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 100A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Otros incluyen "DF11M" partes
Las siguientes partes incluyen 'DF11M'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DF11MR12W1M1B11BOMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2523 |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs |
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